Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | R-PDSO-N4 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | ULTRA LOW CAPACITANCE |
最小击穿电压 | 16.7 V |
击穿电压标称值 | 16.7 V |
最大钳位电压 | 32 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N4 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 500 W |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | BIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压 | 15 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
USBQNM50415CE3/TR7 | USBQNM50424CE3/TR7 | |
---|---|---|
描述 | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15V V(RWM), Bidirectional, 2 Element, Silicon | Trans Voltage Suppressor Diode, 24V V(RWM), Bidirectional |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
击穿电压标称值 | 16.7 V | 26.7 V |
最大钳位电压 | 32 V | 57 V |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
极性 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压 | 15 V | 24 V |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
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