NAND Gate Based MOSFET Driver 1.2A CMOS PDIP14
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Micrel ( Microchip ) |
包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Factory Lead Time | 1 week |
高边驱动器 | NO |
输入特性 | STANDARD |
接口集成电路类型 | NAND GATE BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
功能数量 | 4 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
输出特性 | TOTEM-POLE |
标称输出峰值电流 | 1.2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 4.5/18 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.588 mm |
最大供电电压 | 18 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
断开时间 | 0.1 µs |
接通时间 | 0.1 µs |
宽度 | 7.62 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved