Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | TBGA, BGA165,11X15,40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| 最长访问时间 | 7.5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 117 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.045 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.175 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 13 mm |
| IS64LF12836A-7.5B3LA3 | IS64VF12832A-7.5TQLA3 | |
|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165 | Cache SRAM, 128KX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | TBGA, BGA165,11X15,40 | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Factory Lead Time | 12 weeks | 12 weeks |
| 最长访问时间 | 7.5 ns | 7.5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 117 MHz | 117 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PQFP-G100 |
| 长度 | 15 mm | 20 mm |
| 内存密度 | 4718592 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 165 | 100 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX36 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TBGA | LQFP |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 2.5/3.3,3.3 V | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | AEC-Q100 | AEC-Q100 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.045 A | 0.045 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 2.38 V |
| 最大压摆率 | 0.175 mA | 0.175 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 2.75 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子形式 | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 1 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | QUAD |
| 宽度 | 13 mm | 14 mm |
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