IS62WV102416DBLL-45TLI,IS62WV102416DBLL-45TLI pdf中文资料,IS62WV102416DBLL-45TLI引脚图,IS62WV102416DBLL-45TLI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS62WV102416DBLL-45TLI: 产品描述Standard SRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小909KB，共15页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS62WV102416DBLL-45TLI概述

Standard SRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48

IS62WV102416DBLL-45TLI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000025 A
最小待机电流	1.5 V
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	12 mm

IS62WV102416DBLL-45TLI相似产品对比

	IS62WV102416DBLL-45TLI	IS62WV102416DBLL-55TLI	IS65WV102416DBLL-55CTLA3
描述	Standard SRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48	Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-48
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
Factory Lead Time	8 weeks	8 weeks	10 weeks
最长访问时间	45 ns	55 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16
功能数量	1	1	1
端子数量	48	48	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12 mm	12 mm	12 mm
I/O 类型	COMMON	COMMON	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	-
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
最大待机电流	0.000025 A	0.000025 A	-
最小待机电流	1.5 V	1.5 V	-
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	-

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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