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IS43TR16512S2DL-125KBL

产品描述DDR DRAM, 512MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96
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文件大小3MB,共78页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS43TR16512S2DL-125KBL在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IS43TR16512S2DL-125KBL概述

DDR DRAM, 512MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96

IS43TR16512S2DL-125KBL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明LFBGA,
Reach Compliance Codeunknown
Samacsys DescriptionDRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度13 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织512MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.4 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9 mm

IS43TR16512S2DL-125KBL相似产品对比

IS43TR16512S2DL-125KBL IS43TR16512S2DL-125KBLI
描述 DDR DRAM, 512MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 DDR DRAM, 512MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 LFBGA, LFBGA,
Reach Compliance Code unknown unknown
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96
长度 13 mm 13 mm
内存密度 8589934592 bit 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 96 96
字数 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C
组织 512MX16 512MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.45 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.283 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.35 V 1.35 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 OTHER INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 9 mm 9 mm

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