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MR16R0826BN1-CK7

产品描述RAMBUS MODULE
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文件大小25KB,共4页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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MR16R0826BN1-CK7概述

RAMBUS MODULE

MR16R0826BN1-CK7规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM184,40
针数184
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)711 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度805306368 bi
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数50331648 words
字数代码48000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织48MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SERIAL PRESENCE DETECT
MR16R0824(6/8/C/G)BN1
RAMBUS MODULE
RIMM SPD Specification
based on 128M RDRAM
(B-die, 32s banks)
Version 1.1
October 2000
Change History
Version 1.1 (Oct.
′00)
Based on the Samsung 128M RDRAM (A-die) SPD Specification 1.02 version.
-1-
Version 1.1 Oct. 2000
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