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EDI81256LP35LB

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
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文件大小112KB,共6页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI81256LP35LB概述

Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

EDI81256LP35LB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
包装说明CERAMIC, LCC-28
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CQCC-N28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC28,.35X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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