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1.5KE27A

产品描述23.1V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 23.1V, 25.7V, 28.4V, 5uA
产品类别分立半导体   
文件大小347KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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1.5KE27A概述

23.1V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 23.1V, 25.7V, 28.4V, 5uA

1.5KE27A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码DO-27S
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压28.4 V
最小击穿电压25.7 V
击穿电压标称值27.05 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压37.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-201AE
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
最大重复峰值反向电压23.1 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
类别
Condition10×1000us
PPK (W)1500
VRWM (V) max.23.1
VBR (V) min.25.7
VBR (V) max.28.4
IR (uA) max.5
VC (V) max.37.5
Condition1_IPP (A)40
AEC QualifiedNO
最高工作温度150
最低工作温度-55
是否无铅
符合ReachYES
符合RoHSYES
Package OutlinesDO-27S
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