23.1V,1500W, TVS, Diodes, 10×1000us, 1500W, 23.1V, 25.7V, 28.4V, 5uA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
零件包装代码 | DO-27S |
包装说明 | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
最大击穿电压 | 28.4 V |
最小击穿电压 | 25.7 V |
击穿电压标称值 | 27.05 V |
外壳连接 | ISOLATED |
最大钳位电压 | 37.5 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-201AE |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 1500 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -50 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 6.5 W |
最大重复峰值反向电压 | 23.1 V |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
类别 | |
Condition | 10×1000us |
PPK (W) | 1500 |
VRWM (V) max. | 23.1 |
VBR (V) min. | 25.7 |
VBR (V) max. | 28.4 |
IR (uA) max. | 5 |
VC (V) max. | 37.5 |
Condition1_IPP (A) | 40 |
AEC Qualified | NO |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
是否无铅 | 否 |
符合Reach | YES |
符合RoHS | YES |
Package Outlines | DO-27S |
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