Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Compensated Devices Inc |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
标称参考电压 | 9.1 V |
表面贴装 | NO |
技术 | ZENER |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
电压温度Coeff-Max | 0.91 mV/°C |
最大电压容差 | 5% |
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