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MJ8502

产品描述Silicon NPN Power Transistor
文件大小106KB,共2页
制造商ISC
官网地址http://www.iscsemi.cn/
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MJ8502概述

Silicon NPN Power Transistor

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc
Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·
Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V
CEO(SUS)
= 700V(Min)
·High
Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed
for high-voltage ,high-speed, power switching in
inductive circuits where fall time is critical. They are partic-
ularly suited for line operated switch-mode applications.
Typical applications:
·Switching
regulators
·Inverters
·Solenoid
and relay drivers
·Motor
controls
·Deflection
circuits
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
SYMBOL
V
CEV
V
CEO(SUS)
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
MJ8502
PARAMETER
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Current-Peak
Base Current-Continuous
Base Current-Peak
Collector Power Dissipation@T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature
VALUE
1200
700
8
5
10
4
8
150
200
-65~200
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
W
I
BM
P
C
T
J
T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
1.16
UNIT
℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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