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1N648

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM), Silicon, DO-35,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小133KB,共1页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N648概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM), Silicon, DO-35,

1N648规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流3 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.4 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压500 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Silicon Rectifier Diodes
Use Advantages
1 N645-I
thru
1 N649-I
DO-35 Glass Package
Used as a general purpose rectifier in power supplies, or for clipping and
steering applications.
High performance alternative to small signal diodes where space does not
permit
use of power rectifiers.
May be used in hostile environments where hermeticity and reliability are
important i.e.
(Military and Aerospace). MlL-S-19500/240 approvals.
“S’ level screening capability to Source Control Drawings.
Features
• Six Sigma quality
• Humidity proof glass
Metallurgically bonded
q
Thermally
DO-35 Glass Package
(nominal dimensions)
glass —
x
0.020”
0.50
m m
matched system
..-.
. . . . . . . . . . . . . ~++ . . .(.::]. .
<------—--+ . . . . . . . . ----
“—= la
k-i.
q
No thermal fatigue
Q
+---
10’
~ Length -
“ c h i p
--+
D i a . + -
• High surge capability
25,4 mm
0145’
0070”
TM
(Min )
3.7 mm
q
Sigma Bond plated
contacts
1,8 mm
• 100% guaranteed solderability
q
(DO-213AA) SMD MELF commercial (LL) and MIL (U R-I ) types available
I Absolute Maximum Ratings
Symbol
Value
Unit
I
I
I
Power Dissipation at 3/8” from the body, T
L
= 75
o
C
Average Forward Rectified Current at T
L
= 75
o
C
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Impedance (per Method 3101 of MIL-S-19500)
P
tot
500
400
-65 to 175
mWatts
mAmps
o
o
I
T
o & s
C
Z
JX
35
C/W
Text
I
I
Detail Specifications
Peak
Inverse
Voltage
(MIN.)
(PlV)
Breakdown
Voltage
(MIN.)
@ IOOµA
(B
V
)
Maximum
Average Rectified Current
(
lo
)
25° C
Forward
Maximum
Voltage
Reverse Leakage Current
Drop
(l
R
) @ PlV
(V
F
) @ I
F
= 400mA
(l
o
)
150° C (MIN.)
(MAX.) 25° C
150° c
Maximum Maximum
Surge
Junction
Current Capacitance
@ -4V
(I
FSM
)
(NOTE 1)
(C
o
)
I
Type
volts
volts
Amps
Amps
Volts
µA
µA
Amps
pF
1 N648
225
270
0.4
0.80
0.15
1.0
25
5
.050
20
300
360
0.4
0.15
0.80
1.0
25
5
2
.050
—0
400
480
0.4
0.15
0.80
1.0
25
.050
5
20
600
500
0.4
0.15
0.80
5
20
1.0
—.050— — — - - 25 . — - _ _ _ _ _ _ _ _—- _ _
-
_
600
720
0.4
0.80
0.15
1.0
25
.050
5
20
Note 1: T
A
=150°C ,Io= 150mAdc, 10 surges of 8.3 msec
To order military parts use the lN645/47/49-l numbers with the appropriate JAN, JTX or JTXV prefix
For MELF DO-213AA surface mount package, replace “IN” prefix with “LL” for commercial.
Telephone (508) 681-0392 FAX (508) 681-9135
q

1N648相似产品对比

1N648 GR8836 1N647-1
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 500V V(RRM), Silicon, DO-35, Green-Mode PWM Controller with Integrated Protections Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
厂商名称 Bkc Semiconductors Inc - Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Code unknown - unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 - DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - O-XALF-W2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
最大输出电流 0.4 A - 0.15 A
封装主体材料 GLASS - UNSPECIFIED
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
最大功率耗散 0.5 W - 0.5 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL
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