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1N6123

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小386KB,共5页
制造商Bkc Semiconductors Inc
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1N6123概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

1N6123规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Codeunknown
最小击穿电压45.9 V
击穿电压标称值51 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压73.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压38.8 V
最大反向电流1 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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