512K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CDSO36
512K × 8 标准存储器, 15 ns, CDSO36
| 参数名称 | 属性值 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 36 |
| 最小工作温度 | -55 Cel |
| 最大工作温度 | 125 Cel |
| 额定供电电压 | 5 V |
| 最小供电/工作电压 | 4.5 V |
| 最大供电/工作电压 | 5.5 V |
| 加工封装描述 | CERAMIC, SOJ-36 |
| 状态 | Active |
| sub_category | SRAMs |
| ccess_time_max | 15 ns |
| i_o_type | COMMON |
| jesd_30_code | R-CDSO-J36 |
| jesd_609_code | e0 |
| 存储密度 | 4.19E6 bit |
| 内存IC类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
| 位数 | 524288 words |
| 位数 | 512K |
| 操作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 512KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| ckage_code | SOJ |
| ckage_equivalence_code | SOJ36,.44 |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
| 串行并行 | PARALLEL |
| eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
| wer_supplies__v_ | 5 |
| qualification_status | COMMERCIAL |
| seated_height_max | 4.06 mm |
| standby_current_max | 0.0150 Amp |
| standby_voltage_mi | 4.5 V |
| 最大供电电压 | 0.1000 Amp |
| 表面贴装 | YES |
| 工艺 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子涂层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子间距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
| length | 23.48 mm |
| width | 11.35 mm |
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