512K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, CDSO36
512K × 8 标准存储器, 15 ns, CDSO36
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 36 |
最小工作温度 | -55 Cel |
最大工作温度 | 125 Cel |
额定供电电压 | 5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V |
最大供电/工作电压 | 5.5 V |
加工封装描述 | CERAMIC, SOJ-36 |
状态 | Active |
sub_category | SRAMs |
ccess_time_max | 15 ns |
i_o_type | COMMON |
jesd_30_code | R-CDSO-J36 |
jesd_609_code | e0 |
存储密度 | 4.19E6 bit |
内存IC类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
moisture_sensitivity_level | NOT SPECIFIED |
位数 | 524288 words |
位数 | 512K |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
包装材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
ckage_code | SOJ |
ckage_equivalence_code | SOJ36,.44 |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
串行并行 | PARALLEL |
eak_reflow_temperature__cel_ | NOT SPECIFIED |
wer_supplies__v_ | 5 |
qualification_status | COMMERCIAL |
seated_height_max | 4.06 mm |
standby_current_max | 0.0150 Amp |
standby_voltage_mi | 4.5 V |
最大供电电压 | 0.1000 Amp |
表面贴装 | YES |
工艺 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子形式 | J BEND |
端子间距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ | NOT SPECIFIED |
length | 23.48 mm |
width | 11.35 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved