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SYC2149H: 产品描述Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18; 产品类别存储存储; 文件大小118KB，共4页; 制造商Synertek Inc

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SYC2149H概述

Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18

SYC2149H规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Synertek Inc
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	18
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

SYC2149H相似产品对比

	SYC2149H	SYD2149HL-3	SYD2149H-3	SYD2149H-2	SYD2149HL	SYC2149H-2	SYD2149H
描述	Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 55ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 55ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 45ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 45ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 70ns, MOS, CDIP18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	70 ns	55 ns	55 ns	45 ns	70 ns	45 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	18	18	18	18	18	18	18
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.15 mA	0.125 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.125 mA	0.15 mA	0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-	-

SYC2149H

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