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1N1189

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小818KB,共2页
制造商Daco Semiconductor Co Ltd
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1N1189概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN

1N1189规格参数

参数名称属性值
厂商名称Daco Semiconductor Co Ltd
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-5
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流595 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

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DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Features
High Surge Capability
Types Up to 1000V V
RRM
1N1183(R)
T HR U
1N3768(R)
STANDARD RECOVERY DIODE STUD TYPES
35A
35Amp Recti er
50-1000 Volts
DO-5
Maximum Ratings
Operating Temperature:
Storage Temperature:
-55 C to +175
M
-55 C to +175
J
Part Number
1N1183(R)
1N1184(R)
1N1186(R)
1N1188(R)
1N1189(R)
1N1190(R)
1N3765(R)
1N3766(R)
1N3767(R)
1N3768(R)
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
500V
600V
700V
800V
900V
1000V
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
140V
280V
354V
420V
495V
566V
636V
707V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
500V
600V
700V
800V
900V
1000V
K
P
D
B
N
C
G
F
A
E
Notes :
1.Standard Polarity Stud is Cathod
2.Reverse Polarity: Stud is Anode
Electrical Characteristics @ 25
Average Forward
(Per pkg)
Current
Peak
1N1183(R)~1N1190(R)
F orward
Surge
1N3765(R)~1N3768(R)
Cur rent
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage *
Maximum
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Unless Otherwise Specified
35 A
595A
475A
1.1V
I
FM
= 35A
T
J
= 25
T
J
= 25
T
J
= 175
T
C
= 150
I
F(AV)
I
FSM
V
F
8.3ms , half sine
DIM
Min
A
B
C
D
E
F
0.669
-----
-----
0.422
0.115
-----
-----
0.236
-----
-----
0.140
Inches
Max
1/4 –28 UNF
0.687
0.794
1.020
0.453
0.200
0.460
0.280
-----
0.589
0.063
0.175
17.19
-----
-----
10.72
2.93
-----
-----
6.00
-----
-----
3.56
Min
Millimeters
Max
17.44
20.16
25.91
11.50
5.08
11.68
7.00
-----
14.96
1.60
4.45
I
R
μ
10 A
12 mA
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
Mounting torque
R jc
Inch pounds
(in-pb)
1.18 C/W
30
G
J
K
M
N
Pulse Test: Pulse Width 300
μsec.
Duty Cycle
<
2%
P
www.dacosemi.com.tw
-1-

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1N1189 1N3766 1N3765R 1N3767R 1N3765
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 500V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 800V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 700V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 700V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN
厂商名称 Daco Semiconductor Co Ltd Daco Semiconductor Co Ltd Daco Semiconductor Co Ltd Daco Semiconductor Co Ltd Daco Semiconductor Co Ltd
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE ANODE ANODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5 DO-5
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 595 A 475 A 475 A 475 A 475 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 500 V 800 V 700 V 900 V 700 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
Base Number Matches - 1 1 1 1
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