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SR802

产品描述8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小45KB,共2页
制造商上海商朗电子
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SR802概述

8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
SR802
THRU
SR810
8 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 - 100 Volts
DO-201AD
Features
Low Switching Noise
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Surge Current Capability
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
I
F(AV)
I
FSM
8.0A
175A
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
50V
60V
80V
100V
D
SR802
SR803
SR804
SR805
SR806
SR808
SR810
SR802
SR803
SR804
SR805
SR806
SR808
SR810
14V
21V
28V
35V
42V
56V
70V
T
A
= 90°C
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
SR802-SR804
SR806
SR808-SR810
D
8.3ms, half sine
C
V
F
.65V
.70V
.85V
0.5mA
50mA
I
FM
= 8.0A;
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100
o
C
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
DIMENSIONS
MM
MIN
---
---
1.20
25.40
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
SR802-SR804
SR805-SR806
SR808-SR810
I
R
MAX
.370
.250
.052
---
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
C
J
500pF
380pF
165pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
www.cnelectr.com

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SR802 SR8010 SR803 SR804 SR805 SR806 SR808
描述 8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 8 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD 8 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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