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MUR810

产品描述8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别半导体    分立半导体   
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制造商上海商朗电子
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MUR810概述

8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
MUR805
THRU
MUR840
8 Amp Super F ast
Glass Passiv ated
Rectif ier
50 to 400 Volts
Features
Glass passivated chip
Superfast switching time for hight efficiency
Low reverse leakage current
High surge capacity
Maximum Ratings
Operating Junction Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
PIN
1
2
Catalog
Number
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
MUR805
MUR810
MUR820
MUR840
35V
70V
140V
320V
E
F
G
I
H
J
N
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
MUR805 ~MUR820
MUR840
I
F(AV)
I
FSM
8.0A
125A
T
C
= 100°C
8.3 ms, half sine
PIN 1
PIN 2
CASE
V
F
I =8A
1.0V
FM
T
J
= 25°C
1.3V
10 uA
500uA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
 
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
I
R
Trr
50ns
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
INCHES



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
www.cnelectr.com

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