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MUR1510

产品描述15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小188KB,共2页
制造商上海商朗电子
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MUR1510概述

15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
MUR1505
THRU
MUR1560
15 Amp Super Fast
Glass Passivated
Rectifier
50 to 600 Volts
Features
Glass passivated chip
Superfast switching time for hight efficiency
Low reverse leakage current
High surge capacity
Maximum Ratings
Operating Temperature: -
55°C
to +175°C
Storage Temperature: -
55°C
to +175°C
Device
Marking
Maximum
Re
current
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
I
TO-220AC
B
C
K
L
M
D
A
PIN
1
2
Catalog
Number
MUR1505
MUR1510
MUR1520
MUR1540
MUR1560
MUR1505
MUR1510
MUR1520
MUR1540
MUR1560
35V
70V
140V
280V
420V
E
F
G
J
H
N
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
1505-1520
1540-1560
I
F(AV)
I
FSM
15.0A
150A
T
C
= 120
°C
8.3ms, half sine
PIN 1
PIN 2
CASE
V
F
1.25V
2.0 V
10u A
1000uA
I
FM
= 15A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C


A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N

MM

14.22
9.65
2.54
5.84
9.65
------
12.70
4.83
0.51
0.30
3.53
3.56
1.14
2.03


15.88
10.67
3.43
6.86
10.67
6.35
14.73
5.33
1.14
0.64
4.09
4.83
1.40
2.92
 
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
1505-1520
1540-1560
I
R
T
rr
C
J
35ns
60ns
160pF
I
F
=0.5A, I
r
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
Typical Junction
Capacitance
INCHES



.560
.625
.380
.420
.100
.135
.230
.270
.380
.420
------
.250
.500
.580
.190
.210
.020
.045
.012
.025
.139
.161
.140
.190
.045
.055
.080
.115
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 2%
www
cnelectr
.com
.

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描述 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 16 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC 15 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

 
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