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MUR120

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共3页
制造商上海商朗电子
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MUR120概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 200 V, 硅, 信号二极管, DO-41

MUR120规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.0300 us
最大重复峰值反向电压200 V
最大平均正向电流1 A

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
MUR105
THRU
MUR1100
1 Amp Super Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
Features
High Surge Capability
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
Super Fast Switching Speed For High Efficiency
Maximum Ratings
Operating Temperature: -50°C to +150°C
Storage Temperature: -50°C to +150°C
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
105V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum DC
Blocking
Voltage
50V
100V
150V
200V
400V
600V
800V
1000V
DO-41
Part Number
MUR105
MUR110
MUR115
MUR120
MUR140
MUR160
MUR180
MUR1100
D
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1A
T
A
= 55°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
35A
8.3ms, half sine
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
I
FM
= 1.0A;
V
F
.975V
MUR105-115
1.35V
MUR120-160
T
A
= 25°C
1.75V
MUR180-1100
Maximum DC
I
R
Reverse Current At
5µA
T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
50µA
T
A
= 150°C
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
MUR105-120
T
rr
45ns
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
MUR140-160
60ns
I
rr
=0.25A
MUR180-1100
75ns
Measured at
Typical Junction
20pF
C
J
1.0MHz, V
R
=4.0V
Capacitance
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%
A
Cathode
Mark
B
D
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
www.cnelectr.com

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