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FR157GP

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小55KB,共3页
制造商上海商朗电子
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FR157GP概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
FR151GP
THRU
FR157GP
1.5 Amp Glass
Passivated Fast
Recovery Rectifier
50 to 1000 Volts
DO-15
Features
Low Cost
Low Leakage
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
Fast Switching Speed For High Efficiency
Glass Passivated Junction
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Catalog
Number
FR151GP
FR152GP
FR153GP
FR154GP
FR155GP
FR156GP
FR157GP
D
---
---
---
---
---
---
---
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1.5 A
T
A
= 55°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
50A
8.3ms, half sine
Current
I
FM
= 1.5A;
Maximum
1.3V
Instantaneous
V
F
T
A
= 25°C
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0µA T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
100µA T
A
= 100°C
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
150ns I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
FR151GP-154GP
T
rr
250ns I
rr
=0.25A
FR155GP
500ns
FR156GP-157GP
Typical Junction
C
J
20pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%
D
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.230
.104
.026
1.000
MM
MIN
5.80
2.60
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.300
.140
.034
---
MAX
7.60
3.60
.90
---
NOTE
www.cnelectr.com

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描述 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-15 SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
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