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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> FR107GP
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FR107GP

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小49KB，共3页
制造商上海商朗电子
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FR107GP概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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Shanghai Lunsure Electronic
Technology Co.,Ltd
Tel:0086-21-37185008
Fax:0086-21-57152769
FR101GP
THRU
FR107GP
1 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 to 1000 Volts
DO-41
Features
•
•
•
•
•
•
Low Cost
Low Leakage
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
Fast Switching Speed For High Efficiency
Glass Passivated Junction
Maximum Ratings
•
•
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Catalog
Number
FR101GP
FR102GP
FR103GP
FR104GP
FR105GP
FR106GP
FR107GP
D
---
---
---
---
---
---
---
A
Cathode
Mark
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
I
F(AV)
1A
T
A
= 55°C
Current
Peak Forward Surge
I
FSM
30A
8.3ms, half sine
Current
I
FM
= 1.0A;
Maximum
1.3V
Instantaneous
V
F
T
A
= 25°C
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
5.0µA T
A
= 25°C
Rated DC Blocking
100µA T
A
= 100°C
Voltage
Maximum Reverse
Recovery Time
150ns I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
FR101GP-104GP
T
rr
250ns I
rr
=0.25A
FR105GP
500ns
FR106GP-107GP
Typical Junction
C
J
15pF
Measured at
Capacitance
1.0MHz, V
R
=4.0V
*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%
D
C
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
www.cnelectr.com

FR107GP相似产品对比

FR107GP FR101GP FR102GP FR103GP FR104GP FR105GP FR106GP
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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