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SSFP9N90

产品描述StarMOST Power MOSFET
文件大小123KB,共2页
制造商Good-Ark
官网地址http://www.goodark.com/
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SSFP9N90概述

StarMOST Power MOSFET

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SSFP9N90
StarMOS
T
Power MOSFET
Extremely high dv/dt capability
Low Gate Charge Qg results in
Simple Drive Requirement
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitances
Very good manufacturing repeatability
V
DSS
= 900V
I
D25
= 8.0A
R
DS(ON)
= 1.4Ω
Description
StarMOS is a new generation of high voltage
N–Channel enhancement mode power MOSFETs.
This new technology minimises the JFET effect,
increases packing density and reduces the
on-resistance. StarMOS also achieves faster
switching speeds through optimised gate layout
with planar stripe DMOS technology.
Pin1–Gate
Pin2–Drain
Pin1–Source
Application
Switching application
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@Tc=25ْ C
I
D
@Tc=100ْC
I
DM
P
D
@T
C
=25ْC
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current,V
GS
@10V
Continuous Drain Current,V
GS
@10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Max.
8.0
2.8
32
205
1.64
±30
900
8.0
20.5
4.0
–55
to +150
300(1.6mm from case)
10 Ibf in(1.1N m)
Units
A
W
W/ْ C
V
mJ
A
mJ
V/ns
ْ
C
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque,6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Junction-to-case
Case-to-Sink,Flat,Greased Surface
Junction-to-Ambient
Min.
Typ.
0.5
Max.
0.61
62.5
ْ
C/W
Units
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