Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 125 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 82 A |
最大漏源导通电阻 | 0.013 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-235 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 238 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 330 A |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
PSMN013-100YSE | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 125 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 82 A |
最大漏源导通电阻 | 0.013 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-235 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 238 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 330 A |
参考标准 | IEC-60134 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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