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PSMN013-100YSE

产品描述Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小286KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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PSMN013-100YSE概述

Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235

PSMN013-100YSE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)125 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)82 A
最大漏源导通电阻0.013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-235
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)238 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)330 A
参考标准IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PSMN013-100YSE相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 125 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V
最大漏极电流 (ID) 82 A
最大漏源导通电阻 0.013 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MO-235
JESD-30 代码 R-PSSO-G4
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 238 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 330 A
参考标准 IEC-60134
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
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