Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | TO-220AB, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1000 V |
| 配置 | SINGLE |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 430 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 43 ns |
| IXGP15N100C | IXGA15N100C | |
|---|---|---|
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, D2PAK-3 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS | IXYS |
| 零件包装代码 | TO-220AB | D2PAK |
| 包装说明 | TO-220AB, 3 PIN | D2PAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant |
| 外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 30 A | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1000 V | 1000 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AA |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 430 ns | 430 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 43 ns | 43 ns |
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