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IDT70914S12G

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, CPGA68, PGA-68
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70914S12G概述

Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, CPGA68, PGA-68

IDT70914S12G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明PGA,
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
JESD-30 代码S-CPGA-P68
JESD-609代码e0
长度29.464 mm
内存密度36864 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.464 mm

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HIGH SPEED 36K (4K X 9)
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT RAM
Features
x
IDT70914S
x
x
x
High-speed clock-to-data output times
– Military: 20/25ns (max.)
– Commercial: 12/15/20ns (max.)
Low-power operation
– IDT70914S
Active: 850 mW (typ.)
Standby: 50 mW (typ.)
Architecture based on Dual-Port RAM cells
– Allows full simultaneous access from both ports
Synchronous operation
– 4ns setup to clock, 1ns hold on all control, data, and address
inputs
– Data input, address, and control registers
x
x
x
x
x
x
x
– Fast 12ns clock to data out
– Self-timed write allows fast cycle times
– 17ns cycle times, 58MHz operation
TTL-compatible, single 5V (+ 10%) power supply
Clock Enable feature
Guaranteed data output hold times
Available in 68-pin PGA, PLCC, and 80-pin TQFP
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds.
Recommended for replacement of IDT7099 (4K x 9) if
separate 9th bit data control signals are not required.
Functional Block Diagram
REGISTER
REGISTER
I/O
0-8L
WRITE
LOGIC
MEMOR
MEMORY
Y
ARRAY
ARRAY
WRITE
LOGIC
I/O
0-8R
SENSE
SENSE
AMPS DECODER DECODER AMPS
OE
L
CLK
L
CLKEN
L
Self-
timed
Write
Logic
REG
en
REG
en
OE
R
CLK
R
CLKEN
R
Self-
timed
Write
Logic
R/W
L
CE
L
REG
REG
R/W
R
CE
R
3490 drw 01
A
0L
-A
11L
A
0R
-A
11R
JUNE 1999
1
©1999 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-3490/5

IDT70914S12G相似产品对比

IDT70914S12G IDT70914S15G IDT70914S20GB IDT70914S25GB IDT70914S20G
描述 Dual-Port SRAM, 4KX9, 12ns, CMOS, CPGA68, PGA-68 Dual-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, CPGA68, PGA-68 Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, CPGA68, PGA-68 Dual-Port SRAM, 4KX9, 25ns, CMOS, CPGA68, PGA-68 Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, CPGA68, PGA-68
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 PGA PGA PGA PGA PGA
包装说明 PGA, PGA, PGA-68 PGA, PGA68,11X11 PGA-68
针数 68 68 68 68 68
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant not_compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99
最长访问时间 12 ns 15 ns 20 ns 25 ns 20 ns
其他特性 AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
JESD-30 代码 S-CPGA-P68 S-CPGA-P68 S-CPGA-P68 S-CPGA-P68 S-CPGA-P68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 29.464 mm 29.464 mm 29.464 mm 29.464 mm 29.464 mm
内存密度 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bit 36864 bi
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2
端子数量 68 68 68 68 68
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 70 °C
组织 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9 4KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 PGA PGA PGA PGA PGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm 5.207 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 20 30 20
宽度 29.464 mm 29.464 mm 29.464 mm 29.464 mm 29.464 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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