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DMP45H4D9HJ3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 450V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小405KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
标准
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DMP45H4D9HJ3概述

Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 450V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251,

DMP45H4D9HJ3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time17 weeks
雪崩能效等级(Eas)187 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (ID)4.6 A
最大漏源导通电阻4.9 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)22.4 A
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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