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5962-01-312-4685

产品描述OTP ROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP24
产品类别存储    存储   
文件大小494KB,共16页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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5962-01-312-4685概述

OTP ROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP24

5962-01-312-4685规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T24
内存密度65536 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
端子数量24
字数8192 words
字数代码8000
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.03 A
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

5962-01-312-4685相似产品对比

5962-01-312-4685 5962-01-412-6863
描述 OTP ROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP24 OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP24
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Code compliant compli
最长访问时间 45 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24
内存密度 65536 bit 65536 bi
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8
端子数量 24 24
字数 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.3 DIP24,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.03 A 0.03 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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