1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | E-LELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向恢复时间 | 0.06 µs |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
SRS1120HEU | SRS1120HE | |
---|---|---|
描述 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | E-XALF-W2 |
针数 | 2 | 2 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | E-LELF-R2 | E-XALF-W2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最大输出电流 | 1 A | 1 A |
封装主体材料 | GLASS | UNSPECIFIED |
封装形状 | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大反向恢复时间 | 0.06 µs | 0.06 µs |
表面贴装 | YES | NO |
端子形式 | WRAP AROUND | WIRE |
端子位置 | END | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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