TRIAC
(Through Hole / Non-isolated)
TMG12D60
Triac
TMG12D60
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
2.98
±0.44
10.10
＋ 0.18
− 0.44
( Sensitive Gate)
TO-220AB
4.5
＋ 0.2
− 0.1
1.27
±0.12
Typical Applications
2
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
●
1
15.00
＋ 0.87
− 0.57
φ3
.8
8.60
＋ 0.30
− 0.22
3
3
2
2.48
±0.45
13.5
±0.8
4.23
±0.5
1.27
±0.13
0.85
±0.1
0.45
＋ 0.15
− 0.1
1 T1
2 T2
3 Gate
Features
I
T(RMS)
=12A
●
High Surge Current
●
Low Voltage Drop
●
Lead-Free Package
●
1
2
3
2.54
2.54
Identifying Code：T12D6
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
（
I
T RMS）
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
I
GM
V
GM
Tj
Tstg
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Reference
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Tc＝100℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
Ratings
600
12
119/130
71
5
0.5
2
10
−40∼＋125
−40∼＋150
2
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
℃
℃
g
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
−
V
GT1
＋
V
GT3
−
V
GT3
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
I
H
Rth
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
Gate Trigger Current
3
4
1
2
Gate Trigger Voltage
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
I
T
＝20A,
Inst. measurement
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
dt〕
〔di
c＝−6A
/
ms，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
Junction to case
Ratings
Min. Typ. Max.
2
1.4
10
10
―
10
1.5
1.5
―
1.5
0.2
10
20
1.8
Unit
mA
V
mA
V
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
Holding Current
Thermal Resistance
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG12D60
100
Gate Characteristics
２０
０
On-State Characteristics MAX）
（
On-State Peak Current A）
（
１０
０
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ２ ℃
½１ ５
Gate Voltage
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（5W）
P
G
（0.5W）
（AV）
１
25℃
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
０１
．
１
V
GD
0.2V）
（
１
０
100
1000
I
GM
（2A）
10000
３０
．
３５
．
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
14
12
10
8
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
１
6
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１５
２
１０
２
１５
１
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
θ
＝30゜
θ
＝60゜
π
θ
３０
６゜
θ
2π
１０
１
１５
０
１０
０
９
５
０
０
6
4
2
０
０
２
4
6
8
10
12
14
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
θ Conduction Angle
：
２
４
６
８
１
０
１
２
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
１０
４
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
１０
２
１０
０
８
０
６
０
４
０
20
０
１
１
０
１0
０
60H
Z
50H
Z
１
０１
.
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
２
０
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
（ ５
I
GT
２ ℃）
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
V
＋
GT１
1
＋
）
（
（
V
−
GT１
1
−
）
V
−
GT３
3
−
）
（
I
＋
GT１
1
＋
）
（
I
−
GT１
1
−
）
（
I
−
GT３
3
−
）
（
２
０
１
０
−０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
１
０
−０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
