TRIAC
(Through Hole / Isolated)
TMG3D80F
Triac
TMG3D80F
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
10.5±0.3
3.2±0.3
(Sensitive Gate)
TO-220F
4.7±0.2
2.7±0.2
Typical Applications
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
●
1
16.0±0.3
φ3.2
±0
.2
3
9.7±0.3
2.6±0.2
0.60±0.15
13.0±0.5
3.0±0.3
1.1±0.2
1.4±0.2
2
1 T1
2 T2
3 Gate
Features
0.6±0.15
I
T(RMS)
=3A
●
High Surge Current
●
Low Voltage Drop
●
Lead-Free Package
●
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
Identifying Code：T3D8F
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
（
I
T RMS）
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
I
GM
V
GM
V
ISO
Tj
Tstg
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Reference
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Tc＝107℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A.C. 1minute
Ratings
800
3
27/30
3.7
1.5
0.1
1
7
1500
−40∼＋125
−40∼＋150
2
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
℃
℃
g
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
−
V
GT1
＋
V
GT3
−
V
GT3
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
Gate Trigger Current
3
4
1
2
Gate Trigger Voltage
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
I
T
＝4.5A,
Inst. measurement
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
dt〕
〔di
c＝−1.5A
/
ms，V
D
＝400V
Junction to case
Ratings
Min. Typ. Max.
1
1.4
5
5
10
5
1.5
1.5
2.0
1.5
0.2
5
2
5
Unit
mA
V
mA
V
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
I
H
Holding Current
Rth j-c） Thermal Resistance
（
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG3D80F
１
０
Gate Characteristics
V
GM
（7V）
P
GM
（1.5W）
１０
０
On-State Characteristics MAX）
（
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ２ ℃
½１ ５
On-State Current A）
（
Gate Voltage
（V）
１
０
P
G
（0.1W）
（AV）
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
I
GM
（1A）
１
25℃
1
＋
GT３
１
V
GD
0.2V）
（
０１
．
１
１
０
１０
０
１０
００
０１
.
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
３.
５
Power Dissipation
（W）
０
π
θ
2π
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
３
２５
.
２
１５
.
１
０５
.
θ
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
４
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１５
２
１０
２
θ３ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
π
θ
2π
１５
１
θ９ ゜
＝０
θ１ ０
＝２゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝８゜
１０
１
０
θ
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
０
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
１５
０
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
RMS On-State Current A）
（
RMS On-State Current A）
（
３
５
Transient Thermal Impedance
（℃／W）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
３
０
２
５
２
０
６ H
Z
０
１
５
５ H
Z
０
１
０
５
０
１
１
０
１０
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
１０
００
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
−
I
GT3
（#
−
）
１０
０
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
＋
GT3
（#
＋
）
V
−
GT3
（#
−
）
I
＋
GT３
#
＋
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
Junction Temp.Tj
（℃）
Junction Temperature
（℃）
嵌入式系统
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