TRIAC
(Through Hole / Isolated)
TMG3DQ60F
Triac
TMG3DQ60F
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
Typical Applications
(Tj=150
/ Sensitive Gate)
10.5±0.3
3.2±0.3
4.7±0.2
2.7±0.2
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
Features
1
16.0±0.3
φ3.2
±0
.2
3
9.7±0.3
2.6±0.2
0.60±0.15
13.0±0.5
3.0±0.3
1.1±0.2
1.4±0.2
2
1 T1
2 T2
3 Gate
0.6±0.15
I
T(RMS)
=3A
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
Identifying Code T3DQ6F
Unit
mm
Maximum Ratings
Symbol
V
DRM
I
T RMS
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G AV
I
GM
V
GM
V
ISO
Tj
Tstg
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t for fusing
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Isolation Breakdown Voltage R.M.S.
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Reference
Tj=25
unless otherwise specified
Tc 132
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A.C. 1minute
Ratings
600
3
27/30
3.7
1.5
0.1
1
7
1500
40
150
40
150
2
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
g
Electrical Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
I
GT1
I
GT1
I
GT3
I
GT3
V
GT1
V
GT1
V
GT3
V
GT3
V
GD
dv
/
dt c
I
H
Rth j-c
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
Gate Trigger Current
3
4
1
2
Gate Trigger Voltage
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj 150
I
T
4.5A, Inst. measurement
V
D
6V R
L
10
Tj 150
Tj 150
V
D
1
2
V
DRM
Ratings
Min. Typ. Max.
2
1.4
5
5
10
5
1.5
1.5
2.0
1.5
0.1
1
2
5
Unit
mA
V
mA
V
V
V
/
s
mA
/
W
di
/
dt c
A
/
ms V
D
2
3
V
DRM
Holding Current
Thermal Resistance
Junction to case
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG3DQ60F
１
０
Gate Characteristics
V
GM
（7V）
P
GM
（1.5W）
１０
０
On-State Characteristics MAX）
（
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ５ ℃
½１ ０
P
G
（0.1W）
（AV）
25℃ 25℃
1
＋
GT１
1
＋
GT3
1
−
GT１
1
−
GT３
I
GM
（1A）
On-State Current A）
（
Gate Voltage
（V）
１
１
０
０１
．
V
GD
0.1V）
（
１
００
．
１
１
１
０
１０
０
１０
００
０１
.
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
４
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
３.
５
３
２５
.
２
１５
.
１
０５
.
０
０
０
θ
π
θ
2π
＝180゜
θ
＝150゜
θ
θ
＝120゜
＝90゜
θ
θ
＝60゜
θ
＝30゜
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
４
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１０
５
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１５
４
１０
４
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
θ
＝30゜
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１５
３
θ Conduction Angle
：
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
１０
３
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃／W）
３
５
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
３
０
２
５
２
０
６ H
Z
０
１
５
５ H
Z
０
１
０
５
０
１
１
０
１０
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
１０
００
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
V
＋
GT3
（#
＋
）
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
−
GT3
（#
−
）
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
I
−
GT３
#
−
）
（
１０
０
I
＋
GT３
#
＋
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５ １
２
50
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
