TRIAC
( Through Hole/Non-isolated)
TMG5C60C
0.70
±
0.20
Triac
TMG5C60C
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
Typical Applications
6.60
0.20
±
5.34
0.30
±
TC POINT
2
TO-251
2.30
0.10
±
0.50
0.10
±
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
●
2
1
3
6.10
±
0.20
1.80
0.20
±
1.07
9.30
±
0.30
0.96
0.20
±
0.76
0.20
±
0.50
0.10
±
2
1 T1
2 T2
3 Gate
Features
I
T(RMS)
=5A
●
High Surge Current
●
Low Voltage Drop
●
Lead-Free Package
●
1
2
3
2.30
0.20
±
2.30
0.20
±
Identifying Code：
T5C6C
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
（
I
T RMS）
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Tc＝107℃
Reference
Ratings
600
5
50
/
55
12.6
3
0.3
2
10
−40∼＋125
−40∼＋150
0.39
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
℃
℃
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
I
GM
V
GM
Tj
Tstg
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
3
4
1
2
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
I
T
＝7A,
Inst. measurement
Ratings
Min.
Typ. Max.
1
1.4
20
20
20
1.5
1.5
1.5
Unit
mA
V
Gate Trigger Current
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Gate Trigger Voltage
mA
V
GT1
V
GT3
−
V
GT3
＋
−
V
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
I
H
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
dt〕
〔di
c＝−2.5A
/
ms，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
Junction to case
0.2
5
10
3.0
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
Holding Current
Rth j-c） Thermal Resistance
（
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG5C60C
Gate Characteristics
On-State Characteristics MAX）
（
１０
０
１０
０
On-State Peak Current A）
（
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ２ ℃
½１ ５
Gate Voltage
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（3W）
P
G
（0.3W）
（AV）
１
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
V
GD
0.2V）
（
０１
．
１
０
I
GM
（2A）
１０
０
１０
００
１００
００
３０
．
３５
．
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
６
５
４
３
２
１
０
０
０
θ
π
θ
2π
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
７
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１５
２
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１０
２
θ
＝30゜
θ
＝60゜
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
１５
１
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１０
１
θ Conduction Angle
：
１
２
３
４
５
６
１５
０
０
１
２
３
４
５
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
６
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
５
０
４
０
３
０
５ H
Z
０
６ H
Z
０
２
０
１
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
I
−
GT３
3
−
）
（
I
＋
GT１
1
＋
）
（
I
−
GT１
1
−
）
（
１０
００
５０
０
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
２０
０
V
−
GT３
3
−
）
（
V
＋
GT１
1
＋
）
（
V
−
GT１
1
−
）
（
１０
０
５
０
２
０
１
０
−０
５
２
０
１
０
−０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
FPGA/CPLD
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