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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5618U
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1N5618U

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB，共2页
制造商VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
官网地址http://www.voltagemultipliers.com/
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1N5618U概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon

1N5618U规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
包装说明E-LELF-R2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码E-LELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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200 V - 1,000 V Rectifiers
1.5 A Forward Current
2000 ns Recovery Time
SURFACE MOUNT
HERMETICALLY SEALED
1N5614U 1N5616U
1N5618U 1N5620U
1N5622U
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Part Number
Working
Reverse
Voltage
(Vrwm)
55°C(1)
Volts
1N5614U
1N5616U
1N5618U
1N5620U
1N5622U
Amps
Average
Rectified
Current
(Io)
100°C(2)
Amps
25°C
µA
Reverse
Current
@ Vrwm
(Ir)
100°C
µA
25°C
Volts
Forward
Voltage
1 Cycle Repetitive Reverse
Surge
Surge
Recovery
Current
Current
Time
tp=8.3ms
(3)
(Ifsm)
(Ifrm)
(Trr)
25°C
Amps
25°C
Amps
25°C
ns
Thermal
Impd.
Junction
Cap.
@50VDC
@1kHz
(Cj)
25°C
pF
(Vf)
25°C
Amps
u
J-C
25°C
°C / W
6
200
400
600
800
1000
1.50
1.50
1.50
1.50
1.50
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
25
25
25
25
25
1.3
1.3
1.3
1.3
1.3
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
30
30
30
30
30
10
10
10
10
10
2000
2000
2000
2000
2000
5
5
5
5
5
16
16
16
16
16
(1)TC=55°C (2)TC=100°C (3)If=0.5A, Ir=1.0A, Irr=0.25A *Op. Temp.= -65°C to +175°C Stg. Temp.= -65°C to +200°C
Markings:
Three Dots for polarity.
.080(2.03)
(2 PL)
.225 ±.010
(5.72 ±.25)
.125 ±.005
(3.18 ±.13)
.150
(3.81)
.130(3.30)
.022
Dimension uncontrolled
in this area due to
solder fillet.
.125 ±.005
(3.18 ±.13)
Dimensions: In. (mm) • All temperatures are ambient unless otherwise noted. • Data subject to change without notice.
VOLTAGE MULTIPLIERS INC.
8711 W. Roosevelt Ave.
Visalia, CA 93291
TEL
559-651-1402
FAX
559-651-0740
www.voltagemultipliers.com
145

1N5618U相似产品对比

1N5618U 1N5620U 1N5622U 1N5616U 1N5614U
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 E-LELF-R2 E-LELF-R2 E-LELF-R2 E-LELF-R2 E-LELF-R2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 E-LELF-R2 E-LELF-R2 E-LELF-R2 E-LELF-R2 E-LELF-R2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 800 V 1000 V 400 V 200 V
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs 2 µs
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches - 1 1 1 -

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