TRIAC
(Through Hole / Non-isolated)
TMG8CQ60
Triac
TMG8CQ60
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
2.98
±0.44
10.10
＋ 0.18
− 0.44
(Tj=150 )
4.5
＋ 0.2
− 0.1
1.27
±0.12
Typical Applications
2
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
Features
1
15.00
＋ 0.87
− 0.57
φ3
.8
8.60
＋ 0.30
− 0.22
3
3
2
2.48
±0.45
13.5
±0.8
4.23
±0.5
1.27
±0.13
0.85
±0.1
0.45
＋ 0.15
− 0.1
1 T1
2 T2
3 Gate
I
T(RMS)
=8A
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
1
2
3
2.54
2.54
Identifying Code T8CQ6
Unit
mm
Maximum Ratings
Symbol
V
DRM
I
T RMS
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G AV
I
GM
V
GM
Tj
Tstg
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t for fusing
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Reference
Tj=25
unless otherwise specified
Tc 130
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
Ratings
600
8
80/88
32
5
0.5
2
10
40
150
40
150
2
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
g
Electrical Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
I
GT1
I
GT1
I
GT3
I
GT3
V
GT1
V
GT1
V
GT3
V
GT3
V
GD
dv
/
dt c
I
H
Rth
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
Gate Trigger Current
3
4
1
2
Gate Trigger Voltage
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj 150
I
T
12A, Inst. measurement
Ratings
Min. Typ. Max.
2
1.4
30
30
30
1.5
1.5
1.5
Unit
mA
V
mA
V
D
6V R
L
10
V
Tj 150
Tj 150
V
D
1
2
V
DRM
0.1
A
/
ms V
D
2
3
V
DRM
V
V
/
s
15
2.0
mA
/
W
di
/
dt c
5
Holding Current
Thermal Resistance
Junction to case
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG8CQ60
１０
０
Gate Characteristics
１０
０
On-State Characteristics MAX）
（
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ５ ℃
½１ ０
Gate Voltage
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（5W）
On-State Peak Current A）
（
１
０
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
V
GD
0.1V）
（
I
GM
（2A）
１
P
G
（0.5W）
（AV）
１
０１
.
００
．
１
１
０
１０
０
１０
００
１００
００
０１
.
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
４
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
9
Power Dissipation
（W）
８
7
６
5
４
3
２
1
０
０
１
０
θ
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
π
θ
2π
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
Allowable Case Temperature
（℃）
１
０
RMS On-State vs
Maximum Power Dissipation
１０
５
１５
４
１０
４
１５
３
１０
３
１５
２
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
３０
６゜
θ
＝30゜
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
2π
θ Conduction Angle
：
θ３ ゜
＝０
０
θ
π
θ
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
２
３
４
５
６
７
８
９
１０
２
０
１
２
３
４
５
６
７
８
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
１０
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
８
０
６
０
６ H
Z
０
５ H
Z
０
１
４
０
２
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
０１
.
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
１０
００
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
−
V
GT3
（#
−
）
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
１０
０
I
−
GT３
#
−
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０ １５
０
２
１０
５
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
单片机
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