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TMMBAT41

产品描述SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小48KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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TMMBAT41概述

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

TMMBAT41规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码MELF
包装说明GLASS, MINIMELF-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流0.75 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)235
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流0.1 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间30

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®
TMMBAT 41
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
DESCRIPTION
General purpose metal to silicon diode featuring
very low turn-on voltage and fast switching.
This device has integrated protection against ex-
cessive voltage such as electrostatic discharges.
ABSOLUTE RATINGS
(limiting values)
Symbol
V
RRM
I
F
I
FRM
I
FSM
P
tot
T
stg
T
j
T
L
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Repetitive Peak Forward Current
Surge non Repetitive Forward Current
Power Dissipation
Storage and Junction Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering during 15s
T
i
= 25
°C
t
p
1s
δ ≤
0.5
t
p
= 10ms
T
i
= 95
°C
MINIMELF
(Glass)
Value
100
100
350
750
100
- 65 to + 150
- 65 to + 125
260
Unit
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
THERMAL RESISTANCE
Symbol
R
th(j-l)
Junction-leads
Test Conditions
Value
300
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC CHARACTERISTICS
Symbol
V
BR
V
F
*
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
R
*
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
Test Conditions
I
R
= 100µA
I
F
= 1mA
I
F
= 200mA
V
R
= 50V
Min.
100
0.4
0.45
1
0.1
20
µA
Typ.
Max.
Unit
V
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
T
j
= 25°C
Test Conditions
V
R
= 1V
f = 1MHz
Min.
Typ.
2
Max.
Unit
pF
* Pulse test: t
p
300µs
δ <
2%.
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