1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
1 A, 1200 V, 硅, 信号二极管, DO-213AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 2 |
| 元件数量 | 1 |
| 加工封装描述 | PLASTIC, MELF-2 |
| 状态 | DISCONTINUED |
| 包装形状 | ROUND |
| 包装尺寸 | LONG FORM |
| 表面贴装 | Yes |
| 端子形式 | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END |
| 包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 结构 | SINGLE |
| 壳体连接 | ISOLATED |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | SIGNAL DIODE |
| 反向恢复时间最大 | 0.0750 us |
| 最大重复峰值反向电压 | 1200 V |
| 最大平均正向电流 | 1 A |

| SUF4001_08 | SUF4007-1200 | |
|---|---|---|
| 描述 | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 表面贴装 | Yes | YES |
| 端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END | END |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | SIGNAL DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大重复峰值反向电压 | 1200 V | 1200 V |
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