0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | MELF |
| 包装说明 | O-LELF-R2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | FAST SWITCHING |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.65 V |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 4 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 最大输出电流 | 0.2 A |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 30 V |
| 最大反向电流 | 0.5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.005 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | SCHOTTKY |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| TMMBAT42 | TMMBAT43 | |
|---|---|---|
| 描述 | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | MELF | MELF |
| 包装说明 | O-LELF-R2 | GLASS, MINIMELF-2 |
| 针数 | 2 | 2 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | FAST SWITCHING | FAST SWITCHING |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 0.65 V | 0.45 V |
| JESD-30 代码 | O-LELF-R2 | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 4 A | 4 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C | -65 °C |
| 最大输出电流 | 0.2 A | 0.2 A |
| 封装主体材料 | GLASS | GLASS |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.2 W | 0.2 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 30 V | 30 V |
| 最大反向电流 | 0.5 µA | 0.5 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.005 µs | 0.005 µs |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | WRAP AROUND | WRAP AROUND |
| 端子位置 | END | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
