NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 具有ADC | NO |
| 地址总线宽度 | |
| 位大小 | 4 |
| CPU系列 | TLCS-47 |
| DAC 通道 | NO |
| DMA 通道 | NO |
| 外部数据总线宽度 | |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e0 |
| I/O 线路数量 | 35 |
| 端子数量 | 42 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| PWM 通道 | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SDIP |
| 封装等效代码 | SDIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| RAM(字节) | 64 |
| ROM(单词) | 2048 |
| ROM可编程性 | MROM |
| 速度 | 4.2 MHz |
| 最大压摆率 | 120 mA |
| 最大供电电压 | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.78 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| TMP4720N | TMP4740P | TMP4720P | TMP4740N | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER | NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER | NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER | NMOS 4-BIT MICROCONTROLLER |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 具有ADC | NO | NO | NO | NO |
| 位大小 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| CPU系列 | TLCS-47 | TLCS-47 | TLCS-47 | TLCS-47 |
| DAC 通道 | NO | NO | NO | NO |
| DMA 通道 | NO | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T42 | R-PDIP-T42 | R-PDIP-T42 | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| I/O 线路数量 | 35 | 35 | 35 | 35 |
| 端子数量 | 42 | 42 | 42 | 42 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C | -30 °C | -30 °C | -30 °C |
| PWM 通道 | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SDIP | DIP | DIP | SDIP |
| 封装等效代码 | SDIP42,.6 | DIP42,.6 | DIP42,.6 | SDIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, SHRINK PITCH | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| RAM(字节) | 64 | 128 | 64 | 128 |
| ROM(单词) | 2048 | 4096 | 2048 | 4096 |
| ROM可编程性 | MROM | MROM | MROM | MROM |
| 速度 | 4.2 MHz | 4.2 MHz | 4.2 MHz | 4.2 MHz |
| 最大压摆率 | 120 mA | 120 mA | 120 mA | 120 mA |
| 最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.78 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.78 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved