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GBU1008

产品描述3.2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小164KB,共2页
制造商辰颐电子
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GBU1008概述

3.2 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

3.2 A, 800 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU1008规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流3.2 A
加工封装描述塑料, GBU, 4 PIN
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压800 V
最大非重复峰值正向电流220 A

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GBU 10A/15A/25A/35A SERIES
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
CHENG- YI
ELECTRONIC
REVERSE VOLTAGE -50 to 1000 Volts
FORWARD CURRENT -8.0 Amperes
FEATURES
Surge overload rating-175 amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing
molded plastic technique
Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability classification 94V-O
Mounting Position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
0
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
GBU
10005
GBU
1001
1501
2501
3501
100
70
100
GBU
1002
1502
2502
3502
200
140
200
GBU
1004
1504
2504
3504
400
280
400
10/15/25/35
3.6
240
240
350
400
1.0
GBU
1006
1506
2506
3506
600
420
600
GBU
1008
1508
2508
3508
800
560
800
GBU
1010
1510
2510
3510
1000
700
1000
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
15005
25005
35005
UNITS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current @
TC=100 C
(without heatsink)
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
V
V
A
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
10A
15A
25A
35A
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
JC
T
J
T
STG
A
Maximum Forward Voltage at 5.0/7.5/12.5/17.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
2
t Rating for fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance
per element (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@ TJ=25
0
C
@ TJ=125
0
C
V
A
AS
PF
0
2
5.0
500
200
70
2.2
C/W
0
-40 to +125
-40 to +125
C
C
0
NOTES: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Device mounted on 100mm x 100mm X 1.6mm Cu Plate Heatsink.
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