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FR103

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小110KB,共2页
制造商辰颐电子
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FR103概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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FR101 thru FR107
FAST SWITCHING RECTIFIER
CHENG- YI
ELECTRONIC
VOLTAGE RANGE 50 TO 1000 Volts
CURRENT 1.0 Amperes
DO-41
FEATURE
Low forward voltage
High current capability
Low leakage current
High surge capability
Low cost
MECHANICAL DATA
Case:Mold plastic use UL 94V-0 recognized
flame retardant epoxy
Terminals:Axial leads, solderable per
MIL-STD-202, method 208
Polarity:Color band denotes cathode
Mounting Position:Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
0
C ambient temperature unless otherwise specified.
Signle phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
FR101
FR102
100
70
100
FR103
200
140
200
FR104
400
280
400
1.0
50
1.3
30
5.0
FR105
600
420
600
FR106
800
560
800
FR107
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
A
A
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current,
.375", (9.5mm) Lead Length at
TA =55 C
0
50
35
50
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
Maximum Forward Voltage at 1.0A Peak
Maximum Full Load Reverse Current, Full Cycle Average,
.375", (9.5mm) Lead Length at
TA =55 C
0
Maximum DC Reverse Current, at Rated DC Blocking Voltage
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Notes : 1. Reverse Recovery Test Conditions : I
F
=.5A, I
R
=1.0A, Irr=.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.
150
150
150
150
20
-65 to +175
250
500
500
nS
pF
0
C

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FR103 FR102 FR104 FR105 FR106 FR107
描述 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 RECTIFIER DIODE,1KV V(RRM),DO-41
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