RNC55K2610DSRE6,RNC55K2610DSRE6 pdf中文资料,RNC55K2610DSRE6引脚图,RNC55K2610DSRE6电路-Datasheet-电子工程世界

RNC55K2610DSRE6: 产品描述RESISTOR, METAL FILM, 0.1 W, 0.5 %, 100 ppm, 261 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小159KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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RNC55K2610DSRE6概述

RESISTOR, METAL FILM, 0.1 W, 0.5 %, 100 ppm, 261 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED

quartus调用modelsim后如何退出仿真状态？: 在quartus 8.0 调用modelsim-altera6.1进入仿真状态但退出仿真状态，只有将modelsim-altera关闭才能彻底退出仿真状态请问如何才能在不关闭modelsim-altera的前提下，彻底退出仿真状态呢，这样我可以继续在quartus里编译，然后重新仿真时不用再启动modelsim-altera了。直接就可以仿真，省略了启动这一步。？？？、...; eeleader FPGA/CPLD

Helper2416-25——7月份裸机学习总结帖: [i=s] 本帖最后由 yuanlai2010 于 2014-7-31 22:11 编辑 [/i][align=center][font=楷体, 楷体_GB2312][b][size=5][color=#ff0000]7[/color][/size][/b][b][size=5][color=#ff0000]月份裸机学习总结帖[/color][/size][/b][/font][/align][a...; yuanlai2010 嵌入式系统

[S3C6410] inand emmc: [i=s] 本帖最后由 fangkaixin 于 2017-5-18 17:04 编辑 [/i]求教：S3C6410升级emmc，以前用的是SDIN5D2-2G的inand，现在想往上升级为4G的，不知道6410是否可行，是否支持大于2G的sd卡？特来求教。看了6410的手册，初学这一块，弄不清哪一部分是对这个芯片升级提出限制和要求的...希望有知道的兄弟们告知小弟在此谢过！另外看了emmc相关的...; fangkaixin 嵌入式系统

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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