P6SMB160AHE3_A/H,P6SMB160AHE3_A/H pdf中文资料,P6SMB160AHE3_A/H引脚图,P6SMB160AHE3

P6SMB160AHE3_A/H: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小108KB，共5页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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P6SMB160AHE3_A/H概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	17 weeks
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	168 V
最小击穿电压	152 V
击穿电压标称值	160 V
最大钳位电压	219 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
参考标准	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压	136 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30

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