Unbuffered DDR SO-DIMM
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
| 零件包装代码 | SODIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM200 |
| 针数 | 200 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.7 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 |
| 内存密度 | 4294967296 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 200 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM200 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 2.6 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 自我刷新 | YES |
| 最大压摆率 | 2.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG |
| HYMD564M646A6-D43 | HYMD564M646A6-D4 | HYMD564M646AL6-D4 | HYMD564M646AL6-D43 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Unbuffered DDR SO-DIMM | Unbuffered DDR SO-DIMM | Unbuffered DDR SO-DIMM | Unbuffered DDR SO-DIMM |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
| 零件包装代码 | SODIMM | SODIMM | SODIMM | SODIMM |
| 包装说明 | DIMM, DIMM200 | DIMM, DIMM200 | DIMM, DIMM200 | DIMM, DIMM200 |
| 针数 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | compli | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.7 ns | 0.7 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 |
| 内存密度 | 4294967296 bi | 4294967296 bi | 4294967296 bi | 4294967296 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| 字数 | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 | 64000000 | 64000000 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 64MX64 | 64MX64 | 64MX64 | 64MX64 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM200 | DIMM200 | DIMM200 | DIMM200 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 2.6 V | 2.6 V | 2.6 V | 2.6 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | 8192 | 8192 |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
| 最大压摆率 | 2.2 mA | 2.2 mA | 2.2 mA | 2.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V | 2.6 V | 2.6 V | 2.6 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG |
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