Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD264G726AL8M-L

文档预览

HYMD264G726AL8M-L: 产品描述Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM; 产品类别存储存储; 文件大小196KB，共16页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HYMD264G726AL8M-L概述

Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM

HYMD264G726AL8M-L规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	4831838208 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	1.01 A
最大压摆率	3.62 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

64Mx72 bits

Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM

HYMD264G726A(L)8M-M/K/H/L

DESCRIPTION

Preliminary

Hynix HYMD264G726A(L)8M-M/K/H/L series is Low Profile registered 184-pin double data rate Synchronous DRAM

Dual In-Line Memory Modules (DIMMs) which are organized as 64Mx72 high-speed memory arrays. Hynix

HYMD264G726A(L)8M-M/K/H/L series consists of eighteen 32Mx8 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages on a

184pin glass-epoxy substrate. Hynix HYMD264G726A(L)8M-M/K/H/L series provide a high performance 8-byte inter-

face in 5.25" width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

Hynix HYMD264G726A(L)8M-M/K/H/L series is designed for high speed of up to 133MHz and offers fully synchronous

operations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control

inputs are latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on

both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high

bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable

latencies and burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.

Hynix HYMD264G726A(L)8M-M/K/H/L series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function

is implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to iden-

tify DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.

FEATURES

•

512MB (64M x 72) Low Profile Registered DDR

DIMM based on 32Mx8 DDR SDRAM

JEDEC Standard 184-pin dual in-line memory module

(DIMM)

Error Check Correction (ECC) Capability

Registered inputs with one-clock delay

Phase-lock loop (PLL) clock driver to reduce loading

2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply

All inputs and outputs are compatible with SSTL_2

interface

•

Fully differential clock operations (CK & /CK) with

100MHz/125MHz/133MHz

Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported

Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

tRAS Lock-out function supported

Internal four bank operations with single pulsed RAS

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

ORDERING

INFORMATION

Part No.

HYMD264G726A(L)8M-M

HYMD264G726A(L)8M-K

HYMD264G726A(L)8M-H

HYMD264G726A(L)8M-L

=2.5V

DDQ

=2.5V

Power Supply

Clock Frequency

133MHz (*DDR266:2-2-2)

133MHz(*DDR266A)

Interface

Form Factor

SSTL_2

133MHz(*DDR266B)

100MHz

(*DDR200)

184pin Low Profile Registered

DIMM

5.25 x 1.2 x 0.15 inch

* JEDEC Defined Specifications compliant

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2/May. 02

HYMD264G726AL8M-L相似产品对比

	HYMD264G726AL8M-L	HYMD264G726A8M-H	HYMD264G726A8M-K	HYMD264G726A8M-L	HYMD264G726A8M-M	HYMD264G726AL8M-H	HYMD264G726AL8M-K	HYMD264G726AL8M-M
描述	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM	Low Profile Registered DDR SDRAM DIMM
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compli	unknow	unknow	unknow	unknow	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	133 MHz	133 MHz	125 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi	4831838208 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184	184	184
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	1.01 A	1.01 A	1.01 A	1.01 A	1.01 A	1.01 A	1.01 A	1.01 A
最大压摆率	3.62 mA	3.845 mA	3.845 mA	3.62 mA	4.025 mA	3.845 mA	3.845 mA	4.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

推荐资源

WinCE6.0内核编译错误(S3C6410)，是啥问题: BUILD: Message BUILD: C:\WINCE600\PLATFORM\SMDK6410\SRC\DRIVERS\DISPLAY\DISPLAY_DRV\.\halcaps.cpp(176) : error C2065: 'DDHALINFO_FOURCCINFORMATION' : undeclared identifier ......; 13711088469 嵌入式系统

st7build: 这个ST7的Cosmic编译环境是否是刚刚安装的？ ...; 85868788 stm32/stm8

压缩比达到48的神奇汽油机: 今天,在一QQ群里,与人讨论燃油车节油,对方称参加过重大科研项目, 实现的压缩比48, 最郁闷的是, 对方说是保密项目, 不能透露任何消息, 坏了, 今天吃不下饭了...有没有人来指点一下迷经? 本帖最 ......; PowerAnts 综合技术交流

FLASH会被自动擦除, 有人遇到过类似的问题么?: 我使用的是ADuc7020这款MCU, 发现一个问题, 当MCU被频繁地上电/掉电的话, FLASH中的某一页会被自动擦除, 而其他页并无影响. 我在程序中看不出FLASH是被指令擦除的, 在勘误表中也没有找到有这个 ......; superjeson 嵌入式系统

运行 circuitpython 的 Adafruit LED 眼镜: 572937 ...; dcexpert MicroPython开源版块

一个不入流的联网时钟: 本帖最后由 lcofjp 于 2017-4-16 12:56 编辑我最近又是闲的蛋疼，开始折腾电子时钟了，这个电子时钟在电子界估计是属于难度倒数第二，倒数第一就是点灯啦，所以本文并没啥科技含量。今天的 ......; lcofjp DIY/开源硬件专区

QuickLogic CSSP平台升级方案针对智能手机

2008 年 7 月 9 日 QuickLogic® 公司宣布，为智能手机开发商提供了一种通用的升级方案。 QuickLogic 近期在其针对消费电子的低功率、可配置 CSSP 平台产品功能库中添加了高速 UART ，为移动应用处理器提供了一个高效单芯片解决方案，从而扩充接入能力以支持高传输速率蓝牙，并具备进一步集成其它高水准外设，如 GPS ，的能力。 ...[详细]
摩托罗拉、斑马等七家公司联合成立RFID专利池

　　【提要】摩托罗拉、斑马等七家公司成立RFID专利池“RFID Consortium LLC”，以加快超高频RFID技术领域的专利授权，促进技术应用。　　根据美国《专利法》规定，由两家以上的公司组成,对某一特定技术的相关专利及其他知识产权进行共同管理的协会或联盟，称为专利池(patent pool)。　　近日，RFID专利池——RFIDConsortium LLC发布成立公告，...[详细]
一种独特的脑电信号放大检测电路设计

　　1 引言　　脑电信号(EEG]是由脑神经活动产生并且始终存在于中枢神经系统的自发性电位活动，含有丰富的大脑活动信息，是大脑研究、生理研究、临床脑疾病诊断的重要手段。通过对脑电信号进行记录，以提供临床数据和诊断的依据。因此脑电信号的提取具有非常重要的临床意义。　　2 设计时常遇到的技术困难　　(1)脑电信号十分微弱，一般只有50μV左右，幅值范围为5μV～100 μV。因此它要求放...[详细]
超高频RFID:以核心创优势以竞争促发展

近期，规模庞大、具有显著推广和示范作用的“北京市城市汽车环保检测RFID系统项目”由清华同方、先施科技联合竞投中标。本次竞标成功也意味着，国内超高频RFID品牌在与国际品牌的角逐中胜出。为此，RFID射频快报特别访问了深圳先施科技总经理冯建华先生，就国内与国际品牌各自的竞争优势以及国内品牌如何积极应对国际竞争的问题，与冯总进行了深入交流。　 RFID射频快报记者（以下简称RFID射频快报）：冯...[详细]
TI针对金属应用推出两款低频RFID产品

2008 年 7 月 10 日德州仪器 (TI) 宣布推出 12 毫米多用途楔形应答器及 24 毫米低频圆形电子标签，进一步扩大了其低频产品系列阵营。 12 毫米多用途楔形应答器对芯片电路进行了改进，可直接安装于金属上；而 24 毫米低频圆形电子标签则采用 TI 专利调谐工艺制造而成，可提升废物处理及工业生产等应用...[详细]
基于MSP430F449的电子血压计

　　随着生活水平的不断提高以及城市老龄化比例的提高，医疗电子设备的家庭化逐渐成为了趋势。其中家用电子血压计就是典型的家庭医疗检测设备之一。目前血压计大致上可分为两种：一是水银式血压计，其优点为数值稳定，其缺点为无法一个人自行操作，必须专业医护人员操作，且肉眼观察误差极大，主观性强，体积较大不易携带。二是电子式血压计，其优点为：使用简易，可一人独自操作；测量值便于记录，体积轻巧便于携带。电子式血压...[详细]
中文语音处理在数字助听器中的开发

　　目前国外对助听器研究发展的一个热点则是集中在中国，确切地讲是基于对汉语语言和语音研究，开发相关的语音识别技术和产品。为中心的中文听力学也不例外。我们已经知道听觉科学是一门发展迅速、知识更新很快的一门学科，它所研究的对象以人的听觉为中心，现在我们将介绍和讨论科学家和听力学家更关心的是怎样将听觉科学运用到中国人的听觉和言语实际中去。　　汉语是具有特征化的音调性语言，与其他以拼音字母为主的语系...[详细]
3G iPhone拆解分析：欧洲芯片商大获全胜

　　据PortelligentandSemiconductorInsights以及其姊妹网站TechInsights的报道，在对苹果的3G版iPhone进行拆卸之后发现，其零部件主要为欧洲供应商。其中最大的赢家可能是Infineon。据预测，由InfineonTechnologiesAG供应3GUMTS收发器（预计是在PMB6952）和基带处理器（采用单片封装，内含两个芯片模块）。第一款芯片为X...[详细]
32位处理器大幅增长工业市场转向ARM控制器

　　半导体调研公司Semicast在报告中预测，工业和商业领域中的32位MCU/MPU销售额将大幅增长，同时需求将转向基于ARM的控制器。　　传统上，工业和医疗产业对于处理性能的要求一直集中于基于经x86的应用，如ATM、EPOS、自动售货机和SBC，这些设备通常采用Intel处理器、微软Windows和自有中间件的组合。Semicast预测这种局面不会很快发生变化，并预计在预测期内，将继续...[详细]
意法半导体携手世广开发卫星数字广播芯片

卫星数字广播技术第一大厂商意法半导体与世界最大卫星数字广播公司之一的 WorldSpace （世广卫星广播公司）宣布，双方签订欧洲卫星数字广播（ ESDR ）接收机芯片的合作开发、制造、销售协议，世广公司预定向泛欧和中东地区开通广播服务， 2009 年由意大利开始。世广与 ST 的协议在为 ESDR 收音机发展出第一款全集成的频道解码芯片。以开放的 ET...[详细]
心脏除颤器的工作原理

　　心脏除颤器又名电复律机，它是一种应用电击来抢救和治疗心律失常的一种医疗电子设备。具有疗效高、作用快、操作简便以及与药物相比较为安全等优点，广泛应用于部队各级医疗单位。　　除颤器工作原理　　用较强的脉冲电流通过心脏来消除心律失常、使之恢复窦性心律的方法，称为电击除颤或电复律术。起搏和除颤都是利用外源性的电流来治疗心律失常的，两者均为近代治疗心律失常的方法。心脏起搏与心脏除颤复律的区别是：后...[详细]
恩智浦二季度利润严重下挫前景不容乐观

　　恩智浦半导体公司2008年第二季度的销售数据显示，销售业绩欠佳，而且营业利润明显下滑。展望下一季度，前景依然不容乐观。根据恩智浦公司的财报，其二季度的销售额为15.42亿美元，比去年同比减少了0.9%，与2008年第一季度相比略有0.33%的提高。扣除利息、税收、折旧的收益数据显示，与去年同比减少了40%，为1.14亿美元。恩智浦在新闻公告中表示，这些数据反映了整个市场的持续...[详细]
当之无愧的巨人英特尔“开启了一个时代”

　　1978年6月8号，Intel发布了其第一款16位的微处理器--8086，还有一句著名的广告语“开启了一个时代”。这可能有点夸大其词？但是现在看来还是相当准确的。当8086的光环退去之后，其支撑架构——后来我们所熟知的x86也成为了最成功的业界技术标准。　　“X86”是Intel和其他几家公司处理器所支持的一组机器指令集，它大致确定了芯片的使用规范。从8086到80186、80286...[详细]
Intel凌动凌空出世 ARM阵营备受挑战

在2008年，Intel成立40周年全球首发的IDF大会上，这家半导体业界的航母不仅介绍了下一代处理器微体系架构Nehalem的处理器以及为实现其强大性能而推出的QuickPath平台架构，更带来了面向MID的凌动(Atom)处理器和迅驰凌动技术。Intel还通过与SBS的合作显示了进军工控嵌入式领域的雄心。此外，由众多技术合作伙伴带来的PCI Express和Dispalyport方案也...[详细]
面对SoC设计挑战 Intel积极响应

xi 在国际测试大会上，英特尔公司副总裁兼副总经理Gadi Singer在题为“应对频谱纳米技术和千兆复杂性的挑战”的演讲中指出，从1940年以来，每立方英尺MIPS或每磅MIPS数每10年就增加100倍。虽然在平滑的曲线上一直是以指数规律变化，但是，在那个时期仍然有许多不连续性和变形点。 “目前，四个不同的趋势正延伸在所有方向中的曲线，”Singer说道。首先，IC复杂性和多样性...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多