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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYMD232M726AL8-H
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HYMD232M726AL8-H

产品描述Unbuffered DDR SO-DIMM
产品类别存储    存储   
文件大小212KB，共17页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HYMD232M726AL8-H概述

Unbuffered DDR SO-DIMM

HYMD232M726AL8-H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度2415919104 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.18 A
最大压摆率2.745 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

HYMD232M726AL8-H相似产品对比

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描述 Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM Unbuffered DDR SO-DIMM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
针数 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
Reach Compliance Code compli unknow unknow unknow unknow unknow compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.8 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.8 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 166 MHz 133 MHz 125 MHz 133 MHz 166 MHz 133 MHz 125 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi 2415919104 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72 32MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A 0.18 A
最大压摆率 2.745 mA 2.745 mA 2.835 mA 2.745 mA 2.52 mA 2.835 mA 2.835 mA 2.745 mA 2.52 mA 2.835 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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