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H8050S

产品描述NPN SILICON TRANSISTOR
文件大小128KB,共2页
制造商Huashan ( SHEDCL )
官网地址http://www.huashan.com.cn/
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H8050S概述

NPN SILICON TRANSISTOR

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NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H8050S
APPLICATIONS
Audio Frequency Amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
T
stg
——Storage
Temperature………………………… -55~150℃
T
j
——Juncttion
Temperature…………………………………150℃
P
C
——Collector
Dissipation…………………………………625W
V
CBO
——Collector-Base
Voltage………………………………40V
V
CEO
——Collector-Emitter
Voltage……………………………20V
V
EB O
——Emitter-Base
Voltage………………………………5V
I
C
——Collector
Current………………………………………500mA
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
TO-92
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
a
=25℃)
Symbol
Characteristics
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
CBO
I
EBO
H
FE(2)
0.1
0.1
85
40
0.6
0.6
40
20
5
1.2
0.73
500
μA
μA
V
CB
=25V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=50mA
V
CE
=1V, I
C
=500mA
H
FE(1)
DC Current Gain
V
CE(sat)
Collector- Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
V
BE(on)
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
Base- Emitter Saturation Voltage
V
V
V
V
V
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=500mA,I
B
=50mA
V
CE
=1V, I
C
=10mA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=2mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
Base-Emitter On Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter- Base Breakdown Voltage
h
FE
Classification
B
85—160
C
120—200
D
160—300
E
270—500

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描述 NPN SILICON TRANSISTOR

 
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