Power Management Switch Applications
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N6 |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.25 A |
最大漏源导通电阻 | 2.2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N6 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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