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SSM3K35MFV

产品描述High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM3K35MFV概述

High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications

SSM3K35MFV规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.18 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SSM3K35MFV
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type
SSM3K35MFV
High-Speed Switching Applications
Analog Switch Applications
0.22±0.05
Unit: mm
1.2±0.05
0.32±0.05
3
0.8±0.05
1.2 V drive
Low ON-resistance : R
on
= 20
(max) (@V
GS
= 1.2 V)
: R
on
= 8
(max) (@V
GS
= 1.5 V)
: R
on
= 4
(max) (@V
GS
= 2.5 V)
: R
on
= 3
(max) (@V
GS
= 4.0 V)
0.4
0.4
1.2±0.05
0.8±0.05
1
2
Characteristic
Drain–source voltage
Gate–source voltage
Drain current
Drain power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
DC
Pulse
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note 1)
T
ch
T
stg
Rating
20
±10
180
360
150
150
−55~150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
0.5±0.05
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)
VESM
1.Gate
2.Source
3.Drain
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-1L1B
Note 1: Mounted on an FR4 board
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 t, Cu Pad: 0.585 mm )
Weight: 1.5 mg (typ.)
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristic
Gate leakage current
Drain–source breakdown voltage
Drain cutoff current
Gate threshold voltage
Forward transfer admittance
Symbol
I
GSS
V
(BR) DSS
I
DSS
V
th
⏐Y
fs
Test Condition
V
GS
= ±10
V, V
DS
=
0 V
I
D
=
0.1 mA, V
GS
=
0 V
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0 V
V
DS
=
3 V, I
D
=
1 mA
V
DS
=
3 V, I
D
=
50 mA
I
D
=
50 mA, V
GS
=
4 V
Drain–source ON-resistance
R
DS (ON)
I
D
=
50 mA, V
GS
=
2.5 V
I
D
=
5 mA, V
GS
=
1.5 V
I
D
=
5 mA, V
GS
=
1.2 V
Input capacitance
Reverse transfer capacitance
Output capacitance
Switching time
Turn-on time
Turn-off time
C
iss
C
rss
C
oss
t
on
t
off
V
DSF
V
DD
=
3 V, I
D
=
50 mA,
V
GS
=
0 to 2.5 V
I
D
=
- 180 mA, V
GS
=
0 V
(Note 2)
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0 V, f
=
1 MHz
(Note 2)
(Note 2)
(Note 2)
(Note 2)
(Note 2)
Min
20
0.4
115
Typ.
1.5
2
3
5
9.5
4.1
9.5
115
300
-0.9
Max
±10
1
1.0
3
4
8
20
-1.2
ns
V
pF
Ω
Unit
μA
V
μA
V
mS
Drain–source forward voltage
Note 2: Pulse test
1
2008-05-27
0.13±0.05

 
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