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2SA1162-Y(T5LNISAF

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小216KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1162-Y(T5LNISAF概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SA1162-Y(T5LNISAF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
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